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类型
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描述
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全选
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类别
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分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
单 FET，MOSFET
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制造商
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onsemi
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系列
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PowerTrench®
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包装
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卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
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零件状态
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在售
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FET 类型
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N 通道
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技术
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MOSFET（金属氧化物）
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漏源电压（Vdss）
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40 V
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25°C 时电流 – 连续漏极 (Id)
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70A（Tc）
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驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
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10V
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不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
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8.7 毫欧 @ 50A，10V
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不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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4V @ 250µA
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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
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59 nC @ 10 V
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Vgs（最大值）
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±20V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
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4050 pF @ 25 V
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FET 功能
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–
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功率耗散（最大值）
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79W（Tc）
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工作温度
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-55°C ~ 175°C（TJ）
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安装类型
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表面贴装型
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供应商器件封装
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TO-252AA
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封装/外壳
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TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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基本产品编号
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FDD844
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FDD8445 场效应管(MOSFET)
品牌: onsemi(安森美)
封装: TO-252AB
描述: N 沟道 Power Trench MOSFET 40V，50A，8.7mΩ
批次：16+
备注： 库存现货库存，原装正品，价格可以申请
库存仅剩 1454 ( 可以延迟交货 )
| 封装 | TO-252 |
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| 品牌 | |
| 型号 | FDD8445 |
