| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | – | |
| 功率 | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 3.8nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 305pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
VBZE50P06 场效应管(MOSFET)
库存仅剩 10 ( 可以延迟交货 )
| 封装 | TO-252-2 |
|---|---|
| 品牌 | |
| 型号 | VBZE50P06 |
