| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 11mΩ@10V,10A | |
| 功率 | 2.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.4V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 29.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.55nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 390pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
VBA2309 场效应管(MOSFET)
品牌: VBsemi(微碧半导体)
封装: SO-8
描述: 台积电流片，长电科技封装
类型: 1个P沟道
漏源电压(Vdss): 30V
连续漏极电流(Id): 13.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 11mΩ@
库存仅剩 10 ( 可以延迟交货 )
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | |
| 型号 | VBA2309 |
