属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 8A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 60mΩ@10V,4.3A | |
功率 | 1.67W |
属性 | 参数值 | |
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阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 65nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.5nF@30V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 142pF@30V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ |