| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 60mΩ@10V,4.3A | |
| 功率 | 1.67W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.5nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 142pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
VBA2658 场效应管(MOSFET)
封装：SO-8
描述：台积电流片，长电科技封装
类型：1个P沟道
漏源电压(Vdss)：60V
连续漏极电流(Id)：8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：60mΩ@
库存仅剩 10 ( 可以延迟交货 )
