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VBA2658  场效应管(MOSFET)
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VBA2658 场效应管(MOSFET)

品牌:VBsemi(微碧半导体)

封装:SO-8

描述:台积电流片,长电科技封装

类型:1个P沟道

漏源电压(Vdss):60V

连续漏极电流(Id):8A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@

价格¥1.76

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属性 参数值
商品目录 场效应管(MOSFET)
类型 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 60mΩ@10V,4.3A
功率 1.67W
属性 参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs) 65nC@10V
输入电容(Ciss@Vds) 1.5nF@30V
反向传输电容(Crss@Vds) 142pF@30V
工作温度 -55℃~+175℃
封装

SO-8

品牌

型号

VBA2658

400电话:400-861-9258

 

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